K. A. Bratland, T. Spila, D. G. Cahill, J. E. Greene et Patrick Desjardins
Article de revue (2011)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/17153/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 109, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.3556745 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3556745 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:11 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:58 |
| Citer en APA 7: | Bratland, K. A., Spila, T., Cahill, D. G., Greene, J. E., & Desjardins, P. (2011). Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 109(6). https://doi.org/10.1063/1.3556745 |
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