Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy

Bratland, K. A.; Spila, T.; Cahill, D. G.; Greene, J. E.; Desjardins, Patrick; Bratland, K. A.; Spila, T.; Cahill, D. G.; Greene, J. E.; Desjardins, Patrick

Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy

K. A. Bratland, T. Spila, D. G. Cahill, J. E. Greene, Patrick Desjardins

Article de revue (2011)

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Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe

Organismes subventionnaires:

U.S. Department of Energy (DOE)

Numéro de subvention:

DEFG02-07ER46453, DEFG02-07ER46471

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/17153/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 109 , no 6 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.3556745

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.3556745

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:17153

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:11

Dernière modification:

14 oct. 2026 11:19

Citer en APA 7:

Bratland, K. A., Spila, T., Cahill, D. G., Greene, J. E., & Desjardins, P. (2011). Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 109(6), 5 pages. https://doi.org/10.1063/1.3556745

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