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Documents dont l'auteur est "Bouthillier, Étienne"

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Article de revue

Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. Lien externe

Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 35(9), 9 pages. Lien externe

Fortin-Deschênes, M., Jacobberger, R. M., Deslauriers, C.-A., Waller, O., Bouthillier, É., Arnold, M. S., & Moutanabbir, O. (2019). Dynamics of Antimonene-Graphene Van Der Waals Growth. Advanced Materials, 31(21), e1900569 (7 pages). Lien externe

Communication écrite

Daligou, G., Assali, S., Attiaoui, A., Bouthillier, É., & Moutanabbir, O. (juillet 2022). Radiative carrier lifetime in GeSn mid-infrared emitters [Communication écrite]. IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series (SUM 2022), Cabo San Lucas, Mexico (2 pages). Lien externe

Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform [Communication écrite]. VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Kyoto, Japan. Lien externe

Assali, S., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (mai 2019). Germanium-Tin Semiconductors for Silicon-Compatible Mid-Infrared Photonics [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics, San Jose, California. Lien externe

Résumé

Assali, S., Abdi, S., Atalla, M., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Groell, L., Kumar, A., Luo, L., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (octobre 2019). (Si)GeSn Semiconductors for Integrated Optoelectronics, Quantum Electronics, and More [Résumé]. 236th ECS Meeting, Atlanta, GA. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2019-02(25). Lien externe

Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Decoupling Strain and Composition Effects on Ge₁₋YSny Lattice Vibrations [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). Lien externe

Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). Lien externe

Mémoire de maîtrise

Bouthillier, É. (2019). Non-Equilibrium Germanium-Tin Microstructures for Silicon-Compatible Mid-Infrared Photonics [Mémoire de maîtrise, Polytechnique Montréal]. Disponible

Liste produite: Thu Mar 28 04:34:43 2024 EDT.