Simone Assali, Alain Dijkstra, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, J. E. M. Haverkort, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2021)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Physical Review Applied
(
vol.
15
,
no
2
)
Maison d'édition:
American Physical Society (APS)
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:47213
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 14:59
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:01
Citer en APA 7:
Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. https://doi.org/10.1103/physrevapplied.15.024031
Statistiques
Dimensions
