<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Documents dont l'auteur est "Haverkort, J. E. M."

Monter d'un niveau
Pour citer ou exporter [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Grouper par: Auteurs ou autrices | Date de publication | Sous-type de document | Aucun groupement
Aller à : A | G
Nombre de documents: 5

A

Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. Lien externe

Assali, S., Lähnemann, J., Vu, T. T. T., Jöns, K. D., Gagliano, L., Verheijen, M. A., Akopian, N., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2017). Crystal phase quantum well emission with digital control. Nano Letters, 17(10), 6062-6068. Disponible

Assali, S., Dijkstra, A., Li, A., Koelling, S., Verheijen, M. A., Gagliano, L., von den Driesch, N., Buca, D., Koenraad, P. M., Haverkort, J. E. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2017). Growth and Optical Properties of Direct Band Gap Ge/Ge0.87Sn0.13 Core/Shell Nanowire Arrays. Nano Letters, 17(3), 1538-1544. Lien externe

Assali, S., Greil, J., Zardo, I., Belabbes, A., de Moor, M. W. A., Koelling, S., Koenraad, P. M., Bechstedt, F., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2016). Optical study of the band structure of wurtzite GaP nanowires. Journal of Applied Physics, 120(4). Lien externe

G

Greil, J., Assali, S., Isono, Y., Belabbes, A., Bechstedt, F., Valega Mackenzie, F. O., Silov, A. Y., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2016). Optical properties of strained Wurtzite gallium phosphide nanowires. Nano Letters, 16(6), 3703-3709. Disponible

Liste produite: Thu Apr 18 04:46:21 2024 EDT.