 | Monter d'un niveau |
Réseau de collaborationCe graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. Lien externe
Assali, S., Lähnemann, J., Vu, T. T. T., Jöns, K. D., Gagliano, L., Verheijen, M. A., Akopian, N., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2017). Crystal phase quantum well emission with digital control. Nano Letters, 17(10), 6062-6068. Disponible
Assali, S., Dijkstra, A., Li, A., Koelling, S., Verheijen, M. A., Gagliano, L., von den Driesch, N., Buca, D., Koenraad, P. M., Haverkort, J. E. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2017). Growth and Optical Properties of Direct Band Gap Ge/Ge0.87Sn0.13 Core/Shell Nanowire Arrays. Nano Letters, 17(3), 1538-1544. Lien externe
Greil, J., Assali, S., Isono, Y., Belabbes, A., Bechstedt, F., Valega Mackenzie, F. O., Silov, A. Y., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2016). Optical properties of strained Wurtzite gallium phosphide nanowires. Nano Letters, 16(6), 3703-3709. Disponible
Assali, S., Greil, J., Zardo, I., Belabbes, A., de Moor, M. W. A., Koelling, S., Koenraad, P. M., Bechstedt, F., Bakkers, E. P. A. M., & Haverkort, J. E. M. (2016). Optical study of the band structure of wurtzite GaP nanowires. Journal of Applied Physics, 120(4). Lien externe
