Oussama Moutanabbir
, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Aashish Kumar, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee et Simone Assali
Communication écrite (2019)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/43807/ |
| Nom de la conférence: | VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors |
| Lieu de la conférence: | Kyoto, Japan |
| Date(s) de la conférence: | 2019-05-19 - 2019-05-23 |
| Adresse URL officielle: | https://dc.engconfintl.org/ulsic_tft_vii/36/ |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:30 |
| Citer en APA 7: | Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform [Communication écrite]. VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Kyoto, Japan. https://dc.engconfintl.org/ulsic_tft_vii/36/ |
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