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Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform

Oussama Moutanabbir, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Aashish Kumar, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee et Simone Assali

Communication écrite (2019)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43807/
Nom de la conférence: VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
Lieu de la conférence: Kyoto, Japan
Date(s) de la conférence: 2019-05-19 - 2019-05-23
URL officielle: https://dc.engconfintl.org/ulsic_tft_vii/36/
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:02
Dernière modification: 12 mai 2023 09:53
Citer en APA 7: Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform [Communication écrite]. VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Kyoto, Japan. https://dc.engconfintl.org/ulsic_tft_vii/36/

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