Simone Assali, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee, Étienne Bouthillier, Anis Attiaoui, Oussama Moutanabbir
Résumé (2018)
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Renseignements supplémentaires:
No. MA2018-02 1024
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
AiMES 2018 Meeting
Lieu de la conférence:
Cancun, Mexico
Date(s) de la conférence:
2018-09-30 - 2018-10-04
Titre de la revue
:
ECS Meeting Abstracts
(
vol.
MA2018-02
,
no
31
)
Maison d'édition:
The Electrochemical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:40285
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:
08 oct. 2026 17:59
Citer en APA 7:
Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024
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