Simone Assali, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Aashish Kumar, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2019)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/42997/ |
| Nom de la conférence: | Conference on Lasers and Electro-Optics |
| Lieu de la conférence: | San Jose, California |
| Date(s) de la conférence: | 2019-05-05 - 2019-05-10 |
| Maison d'édition: | Optical Society of America (OSA) |
| DOI: | 10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:40 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (mai 2019). Germanium-Tin Semiconductors for Silicon-Compatible Mid-Infrared Photonics [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics, San Jose, California. https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
