Germanium-tin semiconductors: A versatile silicon-compatible platform

Oussama Moutanabbir, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Aashish Kumar, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee, Simone Assali

Résumé (2019)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC VS TFT 7)
Lieu de la conférence:
Kyoto, Japan
Date(s) de la conférence:
2019-05-19 - 2019-05-23
Maison d'édition:
Engineering Conferences International (ECI)
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:64661
ORCID
Date du dépôt:
23 avr. 2025 13:24
Dernière modification:
08 oct. 2026 18:49
Citer en APA 7:
Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors: A versatile silicon-compatible platform [Résumé]. Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC VS TFT 7), Kyoto, Japan (1 page). https://dc.engconfintl.org/ulsic_tft_vii/36/

Statistiques

Aucune statistique n'est disponible.

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document