Simone Assali, Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Léonor Groell, Aashish Kumar, Lu Luo, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas, Oussama Moutanabbir
Résumé (2019)
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Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
236th ECS Meeting
Lieu de la conférence:
Atlanta, GA
Date(s) de la conférence:
2019-10-13 - 2019-10-17
Titre de la revue
:
ECS Meeting Abstracts
(
vol.
MA2019-02
,
no
25
)
Maison d'édition:
The Electrochemical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:43503
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
08 oct. 2026 18:07
Citer en APA 7:
Assali, S., Abdi, S., Atalla, M., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Groell, L., Kumar, A., Luo, L., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (octobre 2019). (Si)GeSn Semiconductors for Integrated Optoelectronics, Quantum Electronics, and More [Résumé]. 236th ECS Meeting, Atlanta, GA. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2019-02(25). https://doi.org/10.1149/ma2019-02/25/1162
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