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(Si)GeSn Semiconductors for Integrated Optoelectronics, Quantum Electronics, and More

Simone Assali, Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Léonor Groell, Aashish Kumar, Lu Luo, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir

Résumé (2019)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43503/
Nom de la conférence: 236th ECS Meeting
Lieu de la conférence: Atlanta, GA
Date(s) de la conférence: 2019-10-13 - 2019-10-17
Titre de la revue: ECS Meeting Abstracts (vol. MA2019-02, no 25)
Maison d'édition: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2019-02/25/1162
URL officielle: https://doi.org/10.1149/ma2019-02/25%2f1162
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:01
Dernière modification: 29 sept. 2023 14:25
Citer en APA 7: Assali, S., Abdi, S., Atalla, M., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Groell, L., Kumar, A., Luo, L., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (octobre 2019). (Si)GeSn Semiconductors for Integrated Optoelectronics, Quantum Electronics, and More [Résumé]. 236th ECS Meeting, Atlanta, GA. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2019-02(25). https://doi.org/10.1149/ma2019-02/25%2f1162

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