<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors

Étienne Bouthillier, Simone Assali, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2020)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/45918/
Titre de la revue: Semiconductor Science and Technology (vol. 35, no 9)
Maison d'édition: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6641/ab9846
URL officielle: https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:00
Dernière modification: 02 févr. 2024 16:42
Citer en APA 7: Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 35(9), 9 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document