Étienne Bouthillier, Simone Assali, Jérôme Nicolas, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2020)
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Département:
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Titre de la revue
:
Semiconductor Science and Technology
(
vol.
35
,
no
9
)
Maison d'édition:
IOP Publishing
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:45918
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:00
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:59
Citer en APA 7:
Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 35(9), 9 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846
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