Simone Assali, Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Léonor Groell, Aashish Kumar, Lu Luo, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir
Résumé (2019)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/43503/ |
| Nom de la conférence: | 236th ECS Meeting |
| Lieu de la conférence: | Atlanta, GA |
| Date(s) de la conférence: | 2019-10-13 - 2019-10-17 |
| Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2019-02, no 25) |
| Maison d'édition: | The Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/ma2019-02/25/1162 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2019-02/25/1162 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:30 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Abdi, S., Atalla, M., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Groell, L., Kumar, A., Luo, L., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (octobre 2019). (Si)GeSn Semiconductors for Integrated Optoelectronics, Quantum Electronics, and More [Résumé]. 236th ECS Meeting, Atlanta, GA. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2019-02(25). https://doi.org/10.1149/ma2019-02/25/1162 |
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