Engineering SiGeSn Semiconductors for MIR and THz Opto-electronic Devices

Simone Assali, Anis Attiaoui, Mahmoud Atalla, Dijkstra Alain, Aashish Kumar, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir

Communication écrite (2020)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/52272/
Nom de la conférence:	ECS Meeting Abstracts
Date(s) de la conférence:	2020-10-04 - 2020-10-09
DOI:	10.1149/ma2020-02241718mtgabs
URL officielle:	https://doi.org/10.1149/ma2020-02241718mtgabs
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:00
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:57

Citer en APA 7:	Assali, S., Attiaoui, A., Atalla, M., Alain, D., Kumar, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (octobre 2020). Engineering SiGeSn Semiconductors for MIR and THz Opto-electronic Devices [Communication écrite]. ECS Meeting Abstracts. https://doi.org/10.1149/ma2020-02241718mtgabs
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel