Simone Assali, Anis Attiaoui, Mahmoud Atalla, Dijkstra Alain, Aashish Kumar, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2020)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/52272/ |
| Nom de la conférence: | ECS Meeting Abstracts |
| Date(s) de la conférence: | 2020-10-04 - 2020-10-09 |
| Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2020-02, no 24) |
| DOI: | 10.1149/ma2020-02241718mtgabs |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2020-02241718mtgabs |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 11 déc. 2025 16:57 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Attiaoui, A., Atalla, M., Alain, D., Kumar, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (octobre 2020). Engineering SiGeSn Semiconductors for MIR and THz Opto-electronic Devices [Communication écrite]. ECS Meeting Abstracts. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2020-02(24). https://doi.org/10.1149/ma2020-02241718mtgabs |
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