500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon

S. Assali, S. Koelling, Z. Abboud, J. Nicolas, A. Attiaoui et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2022)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/52059/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 132, no 17)
Maison d'édition:	AIP Publishing
DOI:	10.1063/5.0119624
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/5.0119624
Date du dépôt:	18 avr. 2023 14:58
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:42

Citer en APA 7:	Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). https://doi.org/10.1063/5.0119624
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