Ghaith Bany Hamad, Marwan Ammar, Otmane Ait Mohamed et Yvon Savaria
Communication écrite (2018)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/47717/ |
Nom de la conférence: | 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2018) |
Lieu de la conférence: | Piscataway, NJ, USA |
Date(s) de la conférence: | 2018-09-16 - 2018-09-21 |
Maison d'édition: | IEEE |
DOI: | 10.1109/radecs45761.2018.9328702 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/radecs45761.2018.9328702 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:03 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:36 |
Citer en APA 7: | Bany Hamad, G., Ammar, M., Mohamed, O. A., & Savaria, Y. (septembre 2018). System-Level Characterization, Modeling, and Probabilistic Formal Analysis of LEON3 Vulnerability to Transient Faults [Communication écrite]. 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2018), Piscataway, NJ, USA (4 pages). https://doi.org/10.1109/radecs45761.2018.9328702 |
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