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Germanium-Tin Semiconductors for Silicon-Compatible Mid-Infrared Photonics

Simone Assali, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, Patrick Del Vecchio, Aashish Kumar, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir

Communication écrite (2019)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/42997/
Nom de la conférence: Conference on Lasers and Electro-Optics
Lieu de la conférence: San Jose, California
Date(s) de la conférence: 2019-05-05 - 2019-05-10
Maison d'édition: Optical Society of America (OSA)
DOI: 10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5
URL officielle: https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:01
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:29
Citer en APA 7: Assali, S., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Mukherjee, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (mai 2019). Germanium-Tin Semiconductors for Silicon-Compatible Mid-Infrared Photonics [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics, San Jose, California. https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.sth4o.5

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