Laurent Karim Béland, Yonathan Anahory, Dries Smeets, Matthieu Guihard, Peter Brommer, Jean-François Joly, Jean-Christophe Pothier, Laurent J. Lewis, Normand Mousseau
, François Schiettekatte
Article de revue (2013)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
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Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Physical Review Letters
(
vol.
111
,
no
10
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41403
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Béland, L. K., Anahory, Y., Smeets, D., Guihard, M., Brommer, P., Joly, J.-F., Pothier, J.-C., Lewis, L. J., Mousseau, N., & Schiettekatte, F. (2013). Replenish and Relax: Explaining Logarithmic Annealing in Ion-Implanted c-Si. Physical Review Letters, 111(10), 105502 (5 pages). https://doi.org/10.1103/physrevlett.111.105502
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