R. Y.-F. Yip, A. Aït-Ouali, A. Bensaada, Patrick Desjardins
, M. Beaudoin, L. Isnard, John Low Brebner, John F. Currie et Rémo A. Masut
Article de revue (1997)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29961/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 81, no 4) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.365549 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.365549 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:11 |
| Citer en APA 7: | Yip, R. Y.-F., Aït-Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 81(4), 1905-1915. https://doi.org/10.1063/1.365549 |
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