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Optical properties and heterojunction band alignment in fully coherent strain-compensated InAsₓP₁₋ₓ /GayIn₁₋yP multilayers on InP(001)

M. Beaudoin, Patrick Desjardins, A. Aït-Ouali, J. L. Brebner, R. Y. F. Yip, H. Marchand, L. Isnard et Rémo A. Masut

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/28372/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 87, no 5)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.372181
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.372181
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:21
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:09
Citer en APA 7: Beaudoin, M., Desjardins, P., Aït-Ouali, A., Brebner, J. L., Yip, R. Y. F., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (2000). Optical properties and heterojunction band alignment in fully coherent strain-compensated InAsₓP₁₋ₓ /GayIn₁₋yP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 87(5), 2320-2326. https://doi.org/10.1063/1.372181

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