Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport

G. Glass, H. Kim, Patrick Desjardins, N. Taylor, T. Spila, Q. Lu et J. E. Greene

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/28155/
Titre de la revue:	Physical review (vol. 61, no 11)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.61.7628
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.61.7628
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:09

Citer en APA 7:	Glass, G., Kim, H., Desjardins, P., Taylor, N., Spila, T., Lu, Q., & Greene, J. E. (2000). Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport. Physical review, 61(11), 7628-7644. https://doi.org/10.1103/physrevb.61.7628
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