In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation

C. Lavoie, R. Purtell, C. Coïa, C. Detavernier, Patrick Desjardins, J. Jordan-Sweet, C. Jr. Cabral, F. M. D'Heurle

Communication écrite (2002)

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ISBN:
1566773342
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society
Lieu de la conférence:
Philadelphia, PA, USA
Date(s) de la conférence:
2002-05-13 - 2002-05-16
Maison d'édition:
Electrochemical Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:26509
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:02
Citer en APA 7:
Lavoie, C., Purtell, R., Coïa, C., Detavernier, C., Desjardins, P., Jordan-Sweet, J., Cabral, C. J., & D'Heurle, F. M. (mai 2002). In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation [Communication écrite]. Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society, Philadelphia, PA, USA. https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pdf

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