C. Lavoie, R. Purtell, C. Coïa, C. Detavernier, Patrick Desjardins
, J. Jordan-Sweet, C. Jr. Cabral et F. M. D'Heurle
Communication écrite (2002)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26509/ |
| Nom de la conférence: | Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society |
| Lieu de la conférence: | Philadelphia, PA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 2002-05-13 - 2002-05-16 |
| Éditeurs ou éditrices: | Paul J. Timans, Evgeni Gusev, Fred Roozeboom, Mehmet C. Öztürk et Dim-Lee Kwong |
| Maison d'édition: | Electrochemical Society |
| URL officielle: | https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pd... |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:20 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:13 |
| Citer en APA 7: | Lavoie, C., Purtell, R., Coïa, C., Detavernier, C., Desjardins, P., Jordan-Sweet, J., Cabral, C. J., & D'Heurle, F. M. (mai 2002). In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation [Communication écrite]. Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society, Philadelphia, PA, USA. https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pdf |
|---|---|
Statistiques
Aucune statistique n'est disponible.
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
