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In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation

C. Lavoie, R. Purtell, C. Coïa, C. Detavernier, Patrick Desjardins, J. Jordan-Sweet, C. Jr. Cabral et F. M. D'Heurle

Communication écrite (2002)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/26509/
Nom de la conférence: Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society
Lieu de la conférence: Philadelphia, PA, USA
Date(s) de la conférence: 2002-05-13 - 2002-05-16
Éditeurs ou éditrices: Paul J. Timans, Evgeni Gusev, Fred Roozeboom, Mehmet C. Öztürk et Dim-Lee Kwong
Maison d'édition: Electrochemical Society
URL officielle: https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pd...
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:20
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:07
Citer en APA 7: Lavoie, C., Purtell, R., Coïa, C., Detavernier, C., Desjardins, P., Jordan-Sweet, J., Cabral, C. J., & D'Heurle, F. M. (mai 2002). In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation [Communication écrite]. Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society, Philadelphia, PA, USA. https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pdf

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