C. Lavoie, R. Purtell, C. Coïa, C. Detavernier, Patrick Desjardins, J. Jordan-Sweet, C. Jr. Cabral et F. M. D'Heurle
Communication écrite (2002)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26509/ |
Nom de la conférence: | Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society |
Lieu de la conférence: | Philadelphia, PA, USA |
Date(s) de la conférence: | 2002-05-13 - 2002-05-16 |
Éditeurs ou éditrices: | Paul J. Timans, Evgeni Gusev, Fred Roozeboom, Mehmet C. Öztürk et Dim-Lee Kwong |
Maison d'édition: | Electrochemical Society |
URL officielle: | https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pd... |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:20 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:07 |
Citer en APA 7: | Lavoie, C., Purtell, R., Coïa, C., Detavernier, C., Desjardins, P., Jordan-Sweet, J., Cabral, C. J., & D'Heurle, F. M. (mai 2002). In situ monitoring of thin film reactions during rapid thermal annealing: nickel silicide formation [Communication écrite]. Rapid thermal and other short-time processing technologies III Electrochemical Society, Philadelphia, PA, USA. https://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0752.pdf |
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