T. Spila, Patrick Desjardins
, A. Vailionis, H. Kim, N. Taylor, D. G. Cahill, J. E. Greene, S. Guillon et Rémo A. Masut
Article de revue (2002)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26277/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 91, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1448680 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1448680 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:06 |
| Citer en APA 7: | Spila, T., Desjardins, P., Vailionis, A., Kim, H., Taylor, N., Cahill, D. G., Greene, J. E., Guillon, S., & Masut, R. A. (2002). Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001). Journal of Applied Physics, 91(6), 3579-3588. https://doi.org/10.1063/1.1448680 |
|---|---|
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