Claude Thibeault, Simon Pichette, Yves Audet, Yvon Savaria, Hermann Rufenacht, Eric Gloutnay, Yves Blaquière, Fidele Moupfouma et Naïm Batani
Article de revue (2012)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/14537/ |
Titre de la revue: | IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 59, no 6) |
Maison d'édition: | IEEE |
DOI: | 10.1109/tns.2012.2222668 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:11 |
Dernière modification: | 07 oct. 2024 09:24 |
Citer en APA 7: | Thibeault, C., Pichette, S., Audet, Y., Savaria, Y., Rufenacht, H., Gloutnay, E., Blaquière, Y., Moupfouma, F., & Batani, N. (2012). On Extra Combinational Delays in SRAM FPGAs Due to Transient Ionizing Radiations. IEEE Transactions on Nuclear Science, 59(6), 2959-65. https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668 |
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