C. Thibeault, S. Pichette, Yves Audet, Yvon Savaria, H. Rufenacht, E. Gloutnay, Y. Blaquiere, F. Moupfouma et N. Batani
Article de revue (2012)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/14537/ |
Titre de la revue: | IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 59, no 6) |
Maison d'édition: | IEEE |
DOI: | 10.1109/tns.2012.2222668 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:11 |
Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:54 |
Citer en APA 7: | Thibeault, C., Pichette, S., Audet, Y., Savaria, Y., Rufenacht, H., Gloutnay, E., Blaquiere, Y., Moupfouma, F., & Batani, N. (2012). On Extra Combinational Delays in SRAM FPGAs Due to Transient Ionizing Radiations. IEEE Transactions on Nuclear Science, 59(6), 2959-65. https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668 |
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