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On Extra Combinational Delays in SRAM FPGAs Due to Transient Ionizing Radiations

C. Thibeault, S. Pichette, Yves Audet, Yvon Savaria, H. Rufenacht, E. Gloutnay, Y. Blaquiere, F. Moupfouma et N. Batani

Article de revue (2012)

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Département: Département de génie électrique
Centre de recherche: GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/14537/
Titre de la revue: IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 59, no 6)
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/tns.2012.2222668
URL officielle: https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:11
Dernière modification: 05 avr. 2024 10:54
Citer en APA 7: Thibeault, C., Pichette, S., Audet, Y., Savaria, Y., Rufenacht, H., Gloutnay, E., Blaquiere, Y., Moupfouma, F., & Batani, N. (2012). On Extra Combinational Delays in SRAM FPGAs Due to Transient Ionizing Radiations. IEEE Transactions on Nuclear Science, 59(6), 2959-65. https://doi.org/10.1109/tns.2012.2222668

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