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Documents dont l'auteur est "Sundararaman, Chetlur S."

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Article de revue

Meyyappan, M., McLane, G. F., Cole, M. W., Laraeu, R., Namaroff, M., Sasserath, J. N., & Sundararaman, C. S. (1992). Magnetron etching of GaAs: Etch characteristics and surface characterization. Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films, 10(4), 1147-1151. Lien externe

Sundararaman, C. S., Lafontaine, H., Poulin, S., Mouton, A., & Currie, J. F. (1991). Reactive sputtering of InP in N₂ and N₂/O₂ plasmas. Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena, 9(3), 1433-1439. Lien externe

Leonelli, R., Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1990). Photoluminescence study of sulfide layers on p-type InP. Applied Physics Letters, 57(25), 2678-2679. Lien externe

Mouton, A., Sundararaman, C. S., Lafontaine, H., Poulin, S., & Currie, J. F. (1990). Etching of InP by H₃PO₄, H₂O₂ Solutions. Japanese Journal of Applied Physics, 29(10R), 1912-1913. Lien externe

Commentaire ou lettre

Leonelli, R., Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1991). Response to "Comment on 'Photoluminescence study of sulfide layers on p-tynpe InP'" [Commentaire ou lettre]. Applied Physics Letters, 59(14), 1796-1797. Lien externe

Communication écrite

Sundararaman, C. S., Mouton, A., & Currie, J. F. (avril 1990). Chemical etching of InP [Communication écrite]. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Denver, CO, USA. Publié dans International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Lien externe

Thèse de doctorat

Sundararaman, C. S. (1993). Self-aligned insulated gate FET technology for InP : an interface engineering approach [Thèse de doctorat, Polytechnique Montréal]. Disponible

Brevet

Currie, J. F., & Sundararaman, C. S. (1999). Field effect devices. (Brevet no US5986291). Lien externe

Liste produite: Sun Dec 28 04:05:16 2025 EST.