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Koelling, S., Stehouwer, L. E. A., Paquelet Wuetz, B., Scappucci, G., & Moutanabbir, O. (2023). Three-dimensional atomic-scale tomography of buried semiconductor heterointerfaces. Advanced Materials: Interfaces, 10(3), 2201189. Lien externe
Paquelet Wuetz, B., Losert, M. P., Koelling, S., Stehouwer, L. E. A., Zwerver, A.-M. J., Philips, S. G. J., Mądzik, M. T., Xue, X., Zheng, G., Lodari, M., Amitonov, S. V., Samkharadze, N., Sammak, A., Vandersypen, L. M. K., Rahman, R., Coppersmith, S. N., Moutanabbir, O., Friesen, M., & Scappucci, G. (2022). Atomic fluctuations lifting the energy degeneracy in Si/SiGe quantum dots. Nature Communications, 13(1), 7730 (8 pages). Lien externe
Losert, M. P., Wuetz, B. P., Koelling, S., Stehouwer, L., Zwerver, A.-M. J., Philips, S. G., Madzik, M. G., Xue, X., Zheng, G., Lodari, M., Amitonov, S. V., Samkharadze, N., Sammak, A., Vanderspyen, L., Rahman, R., Coppersmith, S. N., Moutanabbir, O., Friesen, M. G., & Scappucci, G. (mars 2022). Increasing the valley splitting in Si/SiGe heterostructures by exploiting atomic concentration fluctuations [Communication écrite]. 2022 APS March Meeting, Chicago, Illinois. Lien externe
Koelling, S., Assali, S., Atalla, M., Kumar, A., Attiaoui, A., Lodari, M., Sammak, A., Scappucci, G., & Moutanabbir, O. (octobre 2020). (Invited) Probing Semiconductor Heterostructures from the Atomic to the Micrometer Scale [Communication écrite]. SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 9, Honolulu, Hawaii, USA. Lien externe
Koelling, S., Assali, S., Atalla, M., Kumar, A., Attiaoui, A., Lodari, M., Sammak, A., Scappucci, G., & Moutanabbir, O. Probing Semiconductor Heterostructures from the Atomic to the Micrometer Scale [Communication écrite]. SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices (PRiME 2020). Publié dans ECS Transactions, 98(5). Lien externe
