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Documents dont l'auteur est "Bensaada, Ahmed"

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Article de revue

Yip, R. Y.-F., Aït-Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 81(4), 1905-1915. Lien externe

Bensaada, A., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Leonelli, R., Cova, P., & Masut, R. A. (1992). Growth and structural properties of epitaxial GaxIn1−xP on InP. Journal of Applied Physics, 71(4), 1737-1743. Lien externe

Communication écrite

Bensaada, A., Cochrane, R. W., & Masut, R. A. (mars 1994). Dislocation-enhanced diffusion in heteroepitaxial GaInP/InP:S [Communication écrite]. 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 1994), Santa Barbara, CA, USA. Lien externe

Autre

Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: “Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy” [J. Appl. Phys. 81, 1905 (1997)]. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. Lien externe

Liste produite: Wed Apr 29 05:34:40 2026 EDT.