Ahmed Bensaada, Robert W. Cochrane et Rémo A. Masut
Communication écrite (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| ISBN: | 078031476X |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/75504/ |
| Nom de la conférence: | 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 1994) |
| Lieu de la conférence: | Santa Barbara, CA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1994-03-27 - 1994-03-31 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/iciprm.1994.328176 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/iciprm.1994.328176 |
| Date du dépôt: | 20 avr. 2026 15:41 |
| Dernière modification: | 20 avr. 2026 15:41 |
| Citer en APA 7: | Bensaada, A., Cochrane, R. W., & Masut, R. A. (mars 1994). Dislocation-enhanced diffusion in heteroepitaxial GaInP/InP:S [Communication écrite]. 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 1994), Santa Barbara, CA, USA. https://doi.org/10.1109/iciprm.1994.328176 |
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