Growth and structural properties of epitaxial GaxIn1−xP on InP

Ahmed Bensaada, A. Chennouf, Robert W. Cochrane, Richard Leonelli, Pedro Cova et Rémo A. Masut

Article de revue (1992)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Organismes subventionnaires:	Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/73554/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 71, no 4)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.351206
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.351206
Date du dépôt:	16 avr. 2026 14:41
Dernière modification:	16 avr. 2026 14:41

Citer en APA 7:	Bensaada, A., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Leonelli, R., Cova, P., & Masut, R. A. (1992). Growth and structural properties of epitaxial GaxIn1−xP on InP. Journal of Applied Physics, 71(4), 1737-1743. https://doi.org/10.1063/1.351206
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