Ahmed Bensaada, A. Chennouf, Robert W. Cochrane, Richard Leonelli, Pedro Cova, Rémo A. Masut
Article de revue (1992)
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Département:
Unité de recherche:
Organismes subventionnaires:
Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
71
,
no
4
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:73554
ORCID
Date du dépôt:
16 avr. 2026 14:41
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:34
Citer en APA 7:
Bensaada, A., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Leonelli, R., Cova, P., & Masut, R. A. (1992). Growth and structural properties of epitaxial GaxIn1−xP on InP. Journal of Applied Physics, 71(4), 1737-1743. https://doi.org/10.1063/1.351206
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