Vesna Borelli, Michel Bégin et Fadhel M. Ghannouchi
Rapport technique (1994)
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Abstract
Modeling and parameter extraction -- Characterization of the MESFET -- Dc measurements -- Pulsed I-V measurements -- Pulsed RF measurements.
Mots clés
Arséniure de gallium; Transistors MESFET
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/9572/ |
| Numéro du rapport: | EPM-RT-94-05 |
| Date du dépôt: | 22 nov. 2021 16:36 |
| Dernière modification: | 06 avr. 2024 17:18 |
| Citer en APA 7: | Borelli, V., Bégin, M., & Ghannouchi, F. M. (1994). Characterization of the transient behavior of a MESFET. (Rapport technique n° EPM-RT-94-05). https://publications.polymtl.ca/9572/ |
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