Vesna Borelli, Michel Bégin et Fadhel M. Ghannouchi
Rapport technique (1994)
 Document en libre accès dans PolyPublie et chez l'éditeur officiel |
|
Libre accès au plein texte de ce document Version officielle de l'éditeur Conditions d'utilisation: Tous droits réservés Télécharger (946kB) |
Afficher le résumé
Cacher le résumé
Abstract
Modeling and parameter extraction -- Characterization of the MESFET -- Dc measurements -- Pulsed I-V measurements -- Pulsed RF measurements.
Mots clés
Arséniure de gallium; Transistors MESFET
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/9572/ |
| Numéro du rapport: | EPM-RT-94-05 |
| Date du dépôt: | 22 nov. 2021 16:36 |
| Dernière modification: | 01 oct. 2024 05:36 |
| Citer en APA 7: | Borelli, V., Bégin, M., & Ghannouchi, F. M. (1994). Characterization of the transient behavior of a MESFET. (Rapport technique n° EPM-RT-94-05). https://publications.polymtl.ca/9572/ |
|---|---|
Statistiques
Total des téléchargements à partir de PolyPublie
Téléchargements par année
Provenance des téléchargements
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
