Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates

Patrick Daoust, Patrick Del Vecchio, Nicolas Rotaru, Alexis Dubé-Valade, Simone Assali, Anis Attiaoui, Gérard Tanguy Eric Gnato Daligou, Sebastian Koelling, Lu Luo, Eloïse Rahier et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2025)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/66649/
Titre de la revue:	Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) (vol. MA2025-01, no 36)
Maison d'édition:	Institute of Physics
DOI:	10.1149/ma2025-01361717mtgabs
URL officielle:	https://doi.org/10.1149/ma2025-01361717mtgabs
Date du dépôt:	22 juil. 2025 12:11
Dernière modification:	22 juil. 2025 12:11

Citer en APA 7:

Daoust, P., Del Vecchio, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Luo, L., Rahier, E., & Moutanabbir, O. (2025). Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(36), 1717 (1 page). https://doi.org/10.1149/ma2025-01361717mtgabs

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