Simone Assali, Anis Attiaoui, Sebastian Koelling, Mahmoud R. M. Atalla, Ashish Kumar, Jérôme Nicolas, Faqrul A. Chowdhury, Cédric Lemieux-Leduc, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2022)
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
132
,
no
19
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:52058
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 14:58
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:09
Citer en APA 7:
Assali, S., Attiaoui, A., Koelling, S., Atalla, M. R. M., Kumar, A., Nicolas, J., Chowdhury, F. A., Lemieux-Leduc, C., & Moutanabbir, O. (2022). Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics. Journal of Applied Physics, 132(19), 11 pages. https://doi.org/10.1063/5.0120505
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