Simone Assali, Anis Attiaoui, Sebastian Koelling, Mahmoud R. M. Atalla, Ashish Kumar, Jérôme Nicolas, Faqrul A. Chowdhury, Cédric Lemieux-Leduc et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2022)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/52058/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 132, no 19) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/5.0120505 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/5.0120505 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 14:58 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:20 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Attiaoui, A., Koelling, S., Atalla, M. R. M., Kumar, A., Nicolas, J., Chowdhury, F. A., Lemieux-Leduc, C., & Moutanabbir, O. (2022). Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics. Journal of Applied Physics, 132(19), 11 pages. https://doi.org/10.1063/5.0120505 |
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