Daniel Burt, Hyo-Jun Joo, Youngmin Kim, Yongduck Jung, Melvina Chen, Manlin Luo, Dong-Ho Kang, Simone Assali, Lin Zhang, Bongkwon Son, Weijun Fan, Oussama Moutanabbir
, Zoran Ikonic, Chuan Seng Tan, Yi-Chiau Huang, Donguk Nam
Article de revue (2022)
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Renseignements supplémentaires:
Groupe de recherche: Multiphase and Reactive Flows Laboratory
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
120
,
no
20
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:50992
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 14:58
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:07
Citer en APA 7:
Burt, D., Joo, H.-J., Kim, Y., Jung, Y., Chen, M., Luo, M., Kang, D.-H., Assali, S., Zhang, L., Son, B., Fan, W., Moutanabbir, O., Ikonic, Z., Tan, C. S., Huang, Y.-C., & Nam, D. (2022). Direct bandgap GeSn nanowires enabled with ultrahigh tension from harnessing intrinsic compressive strain. Applied Physics Letters, 120(20), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0087477
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