Daniel Burt, Hyo-Jun Joo, Youngmin Kim, Yongduck Jung, Melvina Chen, Manlin Luo, Dong-Ho Kang, Simone Assali, Lin Zhang, Bongkwon Son, Weijun Fan, Oussama Moutanabbir
, Zoran Ikonic, Chuan Seng Tan, Yi-Chiau Huang et Donguk Nam
Article de revue (2022)
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| Renseignements supplémentaires: | Groupe de recherche: Multiphase and Reactive Flows Laboratory |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | Autre |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/50992/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 120, no 20) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/5.0087477 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/5.0087477 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 14:58 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:41 |
| Citer en APA 7: | Burt, D., Joo, H.-J., Kim, Y., Jung, Y., Chen, M., Luo, M., Kang, D.-H., Assali, S., Zhang, L., Son, B., Fan, W., Moutanabbir, O., Ikonic, Z., Tan, C. S., Huang, Y.-C., & Nam, D. (2022). Direct bandgap GeSn nanowires enabled with ultrahigh tension from harnessing intrinsic compressive strain. Applied Physics Letters, 120(20), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0087477 |
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