Jaswant Rathore, Alisha Nanwani, Samik Mukherjee, Sudipta Das, Oussama Moutanabbir
, Suddhasatta Mahapatra
Article de revue (2021)
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Titre de la revue
:
Journal of Physics D: Applied Physics
(
vol.
54
,
no
18
)
Maison d'édition:
IOP Publishing Ltd
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:48169
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:00
Dernière modification:
08 oct. 2026 18:19
Citer en APA 7:
Rathore, J., Nanwani, A., Mukherjee, S., Das, S., Moutanabbir, O., & Mahapatra, S. (2021). Composition uniformity and large degree of strain relaxation in MBE-grown thick GeSn epitaxial layers, containing 16% Sn. Journal of Physics D: Applied Physics, 54(18), 185105 (10 pages). https://doi.org/10.1088/1361-6463/abe1e8
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