Jaswant Rathore, Alisha Nanwani, Samik Mukherjee, Sudipta Das, Oussama Moutanabbir
et Suddhasatta Mahapatra
Article de revue (2021)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/48169/ |
| Titre de la revue: | Journal of Physics D: Applied Physics (vol. 54, no 18) |
| Maison d'édition: | IOP Publishing Ltd |
| DOI: | 10.1088/1361-6463/abe1e8 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1088/1361-6463/abe1e8 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:49 |
| Citer en APA 7: | Rathore, J., Nanwani, A., Mukherjee, S., Das, S., Moutanabbir, O., & Mahapatra, S. (2021). Composition uniformity and large degree of strain relaxation in MBE-grown thick GeSn epitaxial layers, containing 16% Sn. Journal of Physics D: Applied Physics, 54(18), 185105 (10 pages). https://doi.org/10.1088/1361-6463/abe1e8 |
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