<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Documents dont l'auteur est "Nanwani, Alisha"

Monter d'un niveau
Pour citer ou exporter [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Grouper par: Auteurs ou autrices | Date de publication | Sous-type de document | Aucun groupement
Aller à : R
Nombre de documents: 1

R

Rathore, J., Nanwani, A., Mukherjee, S., Das, S., Moutanabbir, O., & Mahapatra, S. (2021). Composition uniformity and large degree of strain relaxation in MBE-grown thick GeSn epitaxial layers, containing 16% Sn. Journal of Physics D: Applied Physics, 54(18), 185105 (10 pages). Lien externe

Liste produite: Fri Mar 29 04:40:57 2024 EDT.