<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors

Simone Assali, A. Dijkstra, Anis Attiaoui, Étienne Bouthillier, J. E. M. Haverkort et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2021)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/47213/
Titre de la revue: Physical Review Applied (vol. 15, no 2)
Maison d'édition: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/physrevapplied.15.024031
URL officielle: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.15.024031
Date du dépôt: 18 avr. 2023 14:59
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:35
Citer en APA 7: Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. https://doi.org/10.1103/physrevapplied.15.024031

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document