Simone Assali, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee, Étienne Bouthillier, Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir
Résumé (2018)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | No. MA2018-02 1024 |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/40285/ |
| Nom de la conférence: | AiMES 2018 Meeting |
| Lieu de la conférence: | Cancun, Mexico |
| Date(s) de la conférence: | 2018-09-30 - 2018-10-04 |
| Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2018-02, no 31) |
| Maison d'édition: | The Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/ma2018-02/31/1024 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:25 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
