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Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors

Simone Assali, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee, Étienne Bouthillier, Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir

Résumé (2018)

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Renseignements supplémentaires: No. MA2018-02 1024
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/40285/
Nom de la conférence: AiMES 2018 Meeting
Lieu de la conférence: Cancun, Mexico
Date(s) de la conférence: 2018-09-30 - 2018-10-04
Titre de la revue: ECS Meeting Abstracts (vol. MA2018-02, no 31)
Maison d'édition: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2018-02/31/1024
URL officielle: https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:02
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:25
Citer en APA 7: Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024

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