Simone Assali, Jérôme Nicolas, Samik Mukherjee, Étienne Bouthillier, Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir
Résumé (2018)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | No. MA2018-02 1024 |
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Département: | Département de génie physique |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/40285/ |
Nom de la conférence: | AiMES 2018 Meeting |
Lieu de la conférence: | Cancun, Mexico |
Date(s) de la conférence: | 2018-09-30 - 2018-10-04 |
Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2018-02, no 31) |
Maison d'édition: | The Electrochemical Society |
DOI: | 10.1149/ma2018-02/31/1024 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:25 |
Citer en APA 7: | Assali, S., Nicolas, J., Mukherjee, S., Bouthillier, É., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (septembre 2018). Structure and Optoelectronic Properties of Atomically Random Sn-Rich Gesn Semiconductors [Résumé]. AiMES 2018 Meeting, Cancun, Mexico. Publié dans ECS Meeting Abstracts, MA2018-02(31). https://doi.org/10.1149/ma2018-02/31/1024 |
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