Ahmad Hassan
, Mohamed Ali, Aref Trigui, Sami Hached, Yvon Savaria, Mohamad Sawan
Communication écrite (2017)
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Département:
ISBN:
9781509049912
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
15th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2017)
Lieu de la conférence:
Strasbourg, France
Date(s) de la conférence:
2017-06-25 - 2017-06-28
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:38489
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:04
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:29
Citer en APA 7:
Hassan, A., Ali, M., Trigui, A., Hached, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (juin 2017). Stability of GaN150-based HEMT in high temperature up to 400°C [Communication écrite]. 15th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2017), Strasbourg, France. https://doi.org/10.1109/newcas.2017.8010123
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