Ahmad Hassan
, Mohamed Ali, Aref Trigui, Sami Hached, Yvon Savaria et Mohamad Sawan
Communication écrite (2017)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/38489/ |
| Nom de la conférence: | 15th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2017) |
| Lieu de la conférence: | Strasbourg, France |
| Date(s) de la conférence: | 2017-06-25 - 2017-06-28 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/newcas.2017.8010123 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/newcas.2017.8010123 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:04 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:22 |
| Citer en APA 7: | Hassan, A., Ali, M., Trigui, A., Hached, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (juin 2017). Stability of GaN150-based HEMT in high temperature up to 400°C [Communication écrite]. 15th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2017), Strasbourg, France. https://doi.org/10.1109/newcas.2017.8010123 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
