Ghaith Bany Hamad, Otmane Ait Mohamed et Yvon Savaria
Communication écrite (2016)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/35893/ |
| Nom de la conférence: | IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2016) |
| Lieu de la conférence: | Montréal, Québec |
| Date(s) de la conférence: | 2016-05-22 - 2016-05-25 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/iscas.2016.7539010 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/iscas.2016.7539010 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:05 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:19 |
| Citer en APA 7: | Bany Hamad, G., Mohamed, O. A., & Savaria, Y. (mai 2016). Towards formal abstraction, modeling, and analysis of single event transients at RTL [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2016), Montréal, Québec. https://doi.org/10.1109/iscas.2016.7539010 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
