Y. Ababou, Patrick Desjardins, A. Chennouf, Rémo A. Masut
, Arthur Yelon
, M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli et Gilles L'Espérance
Article de revue (1997)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30742/ |
Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 12, no 5) |
Maison d'édition: | IOP Publishing |
DOI: | 10.1088/0268-1242/12/5/006 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/5/006 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:20 |
Citer en APA 7: | Ababou, Y., Desjardins, P., Chennouf, A., Masut, R. A., Yelon, A., Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., & L'Espérance, G. (1997). Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 12(5), 550-554. https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/5/006 |
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