O. Gurdal, Patrick Desjardins
, J. R. A. Carlsson, N. Taylor, H. H. Radamson, J.-E. Sundgren et J. E. Greene
Article de revue (1998)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29632/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 83, no 1) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.366690 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.366690 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:18 |
| Citer en APA 7: | Gurdal, O., Desjardins, P., Carlsson, J. R. A., Taylor, N., Radamson, H. H., Sundgren, J.-E., & Greene, J. E. (1998). Low-temperature growth and critical epitaxial thickness of fully-strained metastable Ge₁₋ₓSnₓ (x <0.26) alloys on Ge(001)2x1. Journal of Applied Physics, 83(1), 162-170. https://doi.org/10.1063/1.366690 |
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