Raman scattering from fully strained Ge1-xSnx (x<=0.22) alloys grown on Ge(001)2x1 by low-temperature molecular beam epitaxy

Rojas-López, M.; Navarro-Contreras, H.; Desjardins, Patrick; Gürdal, Osman; Taylor, N.; Carlsson, J. R. A.; Greene, J. E.; Rojas-López, M.; Navarro-Contreras, H.; Desjardins, Patrick; Gürdal, Osman; Taylor, N.; Carlsson, J. R. A.; Greene, J. E.

Raman scattering from fully strained Ge1-xSnx (x<=0.22) alloys grown on Ge(001)2x1 by low-temperature molecular beam epitaxy

M. Rojas-López, H. Navarro-Contreras, Patrick Desjardins , Osman Gürdal, N. Taylor, J. R. A. Carlsson, J. E. Greene

Article de revue (1998)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/29362/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 84 , no 4 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.368286

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.368286

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:29362

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:23

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:06

Citer en APA 7:

Rojas-López, M., Navarro-Contreras, H., Desjardins, P., Gürdal, O., Taylor, N., Carlsson, J. R. A., & Greene, J. E. (1998). Raman scattering from fully strained Ge1-xSnx (x<=0.22) alloys grown on Ge(001)2x1 by low-temperature molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 84(4), 2219-2223. https://doi.org/10.1063/1.368286

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