M. Rojas-López, H. Navarro-Contreras, Patrick Desjardins
, O. Gurdal, N. Taylor, J. R. A. Carlsson et J. E. Greene
Article de revue (1998)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29362/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 84, no 4) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.368286 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.368286 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:18 |
| Citer en APA 7: | Rojas-López, M., Navarro-Contreras, H., Desjardins, P., Gurdal, O., Taylor, N., Carlsson, J. R. A., & Greene, J. E. (1998). Raman scattering from fully strained Ge1-xSnx (x<=0.22) alloys grown on Ge(001)2x1 by low-temperature molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 84(4), 2219-2223. https://doi.org/10.1063/1.368286 |
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