Mohamed Nekili, Yvon Savaria
et Guy Bois
Article de revue (1999)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28726/ |
| Titre de la revue: | IEEE Journal of Solid-State Circuits (vol. 34, no 1) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/4.736658 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/4.736658 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 22 avr. 2024 10:38 |
| Citer en APA 7: | Nekili, M., Savaria, Y., & Bois, G. (1999). Spatial Characterization of Process Variations Via Mos Transistor Time Constants in Vlsi and Wsi. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 34(1), 80-84. https://doi.org/10.1109/4.736658 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
