Mohamed Nekili, Yvon Savaria
, Guy Bois
Article de revue (1999)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(
vol.
34
,
no
1
)
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28726
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:05
Citer en APA 7:
Nekili, M., Savaria, Y., & Bois, G. (1999). Spatial Characterization of Process Variations Via Mos Transistor Time Constants in Vlsi and Wsi. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 34(1), 80-84. https://doi.org/10.1109/4.736658
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