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Spatial Characterization of Process Variations Via Mos Transistor Time Constants in Vlsi and Wsi

Mohamed Nekili, Yvon Savaria et Guy Bois

Article de revue (1999)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département: Département de génie électrique
Département de génie informatique et génie logiciel
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/28726/
Titre de la revue: IEEE Journal of Solid-State Circuits (vol. 34, no 1)
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/4.736658
URL officielle: https://doi.org/10.1109/4.736658
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:22
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:09
Citer en APA 7: Nekili, M., Savaria, Y., & Bois, G. (1999). Spatial Characterization of Process Variations Via Mos Transistor Time Constants in Vlsi and Wsi. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 34(1), 80-84. https://doi.org/10.1109/4.736658

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