H. Kim, G. Glass, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2000)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28083/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 88, no 12) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1324701 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1324701 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:09 |
| Citer en APA 7: | Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2000). Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 88(12), 7067-7078. https://doi.org/10.1063/1.1324701 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
